主要完成人：刘丁、周旗钢、赵跃、焦尚彬、任海鹏、杨润

项目简介：

该项目在国家重点支持下，针对极大规模集成电路用硅单晶生长中关键变量的检测与处理、杂质含量与微缺陷抑制、生长工艺与控制方法、整机优化设计与制造等核心技术问题，历经10 年研究，研制成功我国首台极大规模集成电路用300mm 硅单晶炉并形成系列产品，打破了国外产品的垄断和技术封锁，整体性能达到国际先进水平，在非对称CUSP 磁场设计与装置、激光液位检测方法与装置等方面处于国际领先水平。

本项目获授权发明专利13 项，实用新型专利11 项，申请美国发明专利2项（公示期），制定我国首部单晶炉技术标准，从理论创新、技术发明到装备制造，取得了完整的技术成果并实现产业化。核心技术和系列产品已在相关行业推广使用并出口美国、韩国等企业，新增产值24.64 亿元，新增利润4.65 亿元，取得了显著的社会、经济效益。

2012年，该成果获得国家科技发明二等奖。