申请日

2018/6/26

专利权人

西安理工大学

授权日

2021/1/15

法律效力

授权

摘要

本发明公开的一种制备Ag负载ZnO纳米棒阵列的方法，具体按照以下步骤实施：首先，ZnO种子层衬底的制备，其次，ZnO纳米棒阵列薄膜的制备，最后，将制备得到的ZnO纳米棒阵列薄膜进行Ag负载；本发明公开的方法优点是利用电场对ZnO晶体中载流子进行分离‑聚集‑释放，使溶液中的Ag+在ZnO晶体表面被还原为Ag颗粒。这种方法使反应只在ZnO纳米棒表面发生，并且由于ZnO压电电场能量较小，电场在晶体表面分布均匀，因此制备的Ag颗粒尺寸较小，在ZnO纳米棒两侧表面分布均匀。